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Vishay最近推出了一款新型80V双通道N沟道功率MOSFET，该器件将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET结合在3.3mm x 3.3mm的PowerPAIR® 3 x 3FS单体封装中。这款Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用的功率转换，旨在提高功率密度和能效，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
这款双通道MOSFET可用来替代两个PowerPAK 1212封装的分立器件，从而节省了50%的基板空间。SiZF4800LDT为设计人员提供了节省空间的解决方案，适用于同步降压转换器、负载点（POL）转换器、DC/DC转换器半桥和全桥功率级等应用领域，包括无线电基站、工业电机驱动、焊接设备和电动工具。在这些应用中，SiZF4800LDT的高低边MOSFET提供了50%的占空比优化组合，同时在4.5V下逻辑电平导通，简化了电路驱动。
为了提高功率密度，该MOSFET在4.5V条件下的导通电阻典型值降至18.5mΩ，达到了业内先进水平，比相同封装尺寸的最接近竞品器件低16%。SiZF4800LDT的低导通电阻与栅极电荷乘积（即MOSFET功率转换应用的重要优值系数）为131mΩ*nC，提高了高频开关应用的效率。
该器件采用了倒装芯片技术，增强了散热能力，热阻比竞品MOSFET低54%。SiZF4800LDT的导通电阻和热阻都很低，连续漏电流达到了36A，比接近的竞品器件高出了38%。MOSFET独特的引脚配置有助于简化PCB布局，支持缩短开关回路，从而减小寄生电感。SiZF4800LDT经过100% Rg 和 UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。
竞品对比表
SiZF4800LDT 现可提供样品并已实现量产，供货周期为 26 周。如需数据手册、样片测试、采购、BOM配单等需求，请加客服微信：13310830171。
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