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制造商产品型号：AONR21357
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
描述：MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.8 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10V
Vgs（最大值）：±25V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2830pF @ 15V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：5W（Ta），30W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：8-DFN-EP（3x3）
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2. 快速开关速度：AONR21357具有快速的开关速度，能够实现高频率的开关操作。
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3. LED驱动：AONR21357可用于小功率LED照明应用中的电流调节和驱动电路，实现亮度调节和节能功能。
4. 无线通信：AONR21357可用于无线通信设备中的功率放大器和射频开关等应用，提供高速、高效的信号放大和开关控制功能。
5. 消费电子：AONR21357可用于各种小功率消费电子设备中，如平板电脑、智能手机、数码相机等，提供高效的电源管理和信号处理功能。
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