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英飞凌推出CoolMOS S7系列高压超结MOSFET,助力高性能电源设计

来源:英飞凌| 发布日期:2023-08-01 13:59:18 浏览量:

在静态开关应用中,电源设计的关键目标是降低导通损耗、优化热性能,并实现紧凑轻便的系统设计,同时还要以低成本实现高质量。为了满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司正在扩大其CoolMOS™ S7系列高压超结(SJ)MOSFET的产品阵容。这一系列器件主要适用于开关电源(SMPS)、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器,以及可编程逻辑控制器(PLC)、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和(混动)电动汽车车载充电器等多种应用。

英飞凌推出CoolMOS S7系列高压超结MOSFET,助力高性能电源设计

在这次产品组合的重要扩充中,英飞凌引入了创新的QDPAK顶部冷却(TSC)封装,为较小的封装尺寸提供了丰富的功能。这些特性使得该器件在低频开关应用中具备明显的优势,并且能够降低成本。采用新型大功率QDPAK封装,该器件的导通电阻仅为10 mΩ,在市场上处于同等电压级别产品中和采用SMD封装产品中的最低水平。CoolMOS S7/S7A解决方案通过最大程度地降低MOSFET产品的导通损耗,提高整体效率,并提供了一种简单易用且经济高效的方式来提升系统性能。

CoolMOS S7电源开关还通过改进的热阻有效地管理散热,采用创新高效的QDPAK封装,减少甚至消除了对散热器的需求,从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列MOSFET产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式,均能够抵御高脉冲电流,并应对突然的浪涌电流。此外,该系列MOSFET产品还具备体二极管的稳健性,能够确保在交流线路换向期间的可靠运行。

由于CoolMOS™ S7系列高压超结(SJ)MOSFET所需的元器件较少,能够减少零部件的数量,实现灵活的系统集成,降低BOM(材料清单)成本和总体拥有成本(TCO)。同时,该系列MOSFET产品还能缩短反应时间,在断开电流时表现更加平稳、高效。

英飞凌科技股份公司通过扩大CoolMOS S7系列高压超结MOSFET的产品阵容,为电源设计提供了更多选择。这一系列产品的高性能和创新特性将有助于推动各种应用领域的高效能电源设计。


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