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全球光储系统市场蓬勃发展,英飞凌功率半导体助力实现高效能

来源:英飞凌官网| 发布日期:2024-04-18 09:50:03 浏览量:

近年来,全球光储系统(PV-ES)市场呈现出高速增长的态势。在光储市场竞争日趋激烈的背景下,提高功率密度已成为制胜关键,储能应用如何提升效率以及功率密度也备受行业关注。在这一领域,英飞凌以其领先的功率半导体技术,为市场提供了卓越的解决方案。

英飞凌科技高级副总裁、工业与基础设施业务大中华区负责人于代辉先生表示:“作为功率半导体领域的行业领导者,我们一直致力于推动技术的创新与应用。很高兴能够与麦田能源等优秀企业紧密合作,共同助力光储应用实现更高的功率密度和更可靠的系统,从而推动低碳化进程。”

麦田能源董事长朱京成对此表示高度认可:“英飞凌的先进器件在可靠性与效率方面为我们的产品带来了显著的提升。这不仅是麦田能源成长的重要推动力,也增强了我们在市场上的竞争力。我们期待与英飞凌进一步加强合作,共同推动行业发展,为客户创造更大的价值。”

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 1200V以其高功率密度的优越性能,为光储系统带来了革命性的改变。该器件能够将损耗降低50%,在不增加电池尺寸的情况下,额外提供约2%的能量。这种优势使得高性能、轻量且紧凑的储能方案得以实现,为光储系统的高效运行提供了有力保障。

麦田能源的H3PRO 15kW~30kW储能机型全系列采用了英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 1200V器件。得益于其出色的性能,H3PRO机型能够取得最高98.1%的效率以及优异的电磁兼容性能。这一优势使得麦田能源的H3PRO机型在全球市场的销量快速上升,赢得了广大客户的青睐。

此外,英飞凌的TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 650V/1200V产品系列同样在光储系统中发挥着重要作用。该产品系列具有更低的损耗,有助于提高逆变器整体效率和功率密度。在大功率变流器项目中,电流处理能力在100A以上的大电流封装分立器件能够降低IGBT并联数量,替代IGBT模块方案,进一步提高系统可靠性并降低成本。

麦田能源在工业和商用领域的主力机型R Series 75~110kW正是采用了IGBT7 H7系列分立器件。这一选择使得100kW机型的整体设计方案得以重新定义,整机最高效率达到了98.6%。同时,分立封装IGBT7 H7系列的高品质性能避免了并管过程中均流等技术问题,大大提高了运行可靠性。

除了功率半导体器件本身的优势外,英飞凌还提供了丰富的栅极驱动产品。其EiceDRIVER™栅极驱动具有500多种型号可供选择,典型输出电流从0.1A到18A不等。这些驱动产品具有全面的保护功能,包括快速短路保护(DESAT)、有源米勒钳位、直通短路保护、故障报告等,适用于包括CoolSiC™和IGBT在内的所有功率器件。这些栅极驱动产品的应用,进一步提升了光储系统的性能和可靠性。

总之,英飞凌以其领先的功率半导体技术和丰富的产品线,为全球光储系统市场的高速增长提供了有力支持。通过与麦田能源等企业的紧密合作,英飞凌将继续推动光储应用实现更高的功率密度和更可靠的系统,为低碳化进程贡献更多力量。如需产品规格书、选型指导、样片测试、采购、BOM配单等需求,请加客服微信:13310830171。

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