LM358DR2G是ONSemiconductor一款双运算放大器。代理销售ON安森美半导体旗下全系列IC电子元器件-金沙娱场城app7979将为大家提供LM358DR2G中文资料：中文参数详解、功能特点及产品应用领域。

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一、LM358DR2G中文参数详解

包裹：卷带式 (TR) 切带式 (CT)

零件状态：积极的

放大器类型：一般用途

电路数量：2

输出类型：-

转换率：-

增益带宽积：1兆赫

-3db 带宽：-

电流 - 输入偏置：45纳安

电压 - 输入偏移：2毫伏

供电：800μA（x2 通道）

电流 - 输出/通道：40毫安

电压 - 电源，单/双 (±)：3V～32V，±1.5V～16V

工作温度：0℃～70℃

安装类型：表面贴装

包装/箱：8-SOIC（0.154 英寸，3.90 毫米宽）

供应商设备封装：8-SOIC

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二、LM358DR2G功能特点

1. 双运放集成：LM358DR2G集成了两个独立的运算放大器，适合需要多个运算放大器的应用。

2. 宽电压工作范围：能够在较宽的电源电压范围内工作，通常在单电源或双电源应用中都能正常工作。

3. 低功耗：具有低功耗特性，适合需要长时间运行或电池供电的应用。

4. 高输入阻抗：输入阻抗较高，能够减小对被测电路的影响。

5. 温度稳定性良好：在不同温度下能够保持较好的性能稳定性。

三、LM358DR2G应用领域

1. 信号调理：用于信号放大、滤波、比较等功能，常用于传感器信号处理、仪器仪表等领域。

2. 电压跟随器：用于实现电压跟随、电压隔离等功能，常用于电源管理、模拟信号处理等应用。

3. 信号发生器：结合外部元件可以实现简单的信号发生器功能，用于测试和校准等领域。

4. 模拟计算：用于模拟计算、模拟运算等功能，常用于模拟电路设计、模拟控制系统等应用。

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